Este lunes se ha constituido el patronato de la Fundació InnoFAB, entidad sin ánimo de lucro del sector público de la Generalitat, con el objetivo de poner en marcha una nueva infraestructura dedicada al prototipado de semiconductores avanzados en Catalunya. El proyecto prevé una inversión de cerca de 400 millones de euros, financiada en parte por los fondos NextGenerationEU.
El patronato está integrado por los consejeros Núria Montserrat (presidenta), Alícia Romero, Albert Dalmau y Miquel Sàmper. La estructura incluirá una comisión ejecutiva y un consejo asesor formado por investigadores de prestigio. InnoFAB se ubicará en el Parc de l’Alba, junto al Sincrotrón, y contará con una sala blanca de 2.000 m² para la fabricación de prototipos de semiconductores avanzados, así como tres edificios que suman una superficie construida de cerca de 22.000 m².
El centro tiene como objetivo consolidar Catalunya como un núcleo potente de diseño y desarrollo de chips en la Unión Europea, generando 200 puestos de trabajo directos y convirtiéndose en un referente en el sector. InnoFAB forma parte del “tridente Innovador” del Plan Catalunya Lidera, que incluye otros dos proyectos: DARE y PIXEurope, enfocados en tecnología RISC-V y circuitos fotónicos integrados, respectivamente.
En enero, el Govern adjudicó la redacción del proyecto básico de ingeniería para la construcción del InnoFAB al grupo IDP por 2,6 millones de euros.
¿Cómo impactará la creación de InnoFAB en el ecosistema tecnológico europeo y en la industria de semiconductores?
.
.
.
RESUMEN BASADO EN EL ARTÍCULO PUBLICADO EN GOVERN.CAT EL 11 de mayo de 2026. Leer original
https://www.elnacional.cat/oneconomia/es/economia/constituyen-patronato-fundacion-innofab-desarrollar-semiconductores-catalunya_1638271_102.html
¿Le darías tu tarjeta de crédito a una IA?